盘面上，存储创芯超换超交两市高开高走，缺货芯片设计概念上涨。格局相关ETF方面，将延计科创芯片设计ETF天弘（589070）标的续至指数盘中涨7.03%，成交额达7791.76万元；换手率达18.17%。年科成分股中，片设普冉股份涨停，天弘跳涨投活澜起科技、指数裕太微-U、手率杰华特、存储创芯超换超交聚辰股份、缺货纳芯微涨超5%，格局中微半导、将延计芯海科技、续至康希通信等多股跟涨。

科创芯片设计ETF天弘(589070)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数聚焦半导体中游设计环节，含量接近95%！相较于同类科创芯片指数更加“纯粹”，行业集中度极高！

消息面上，据TrendForce预测，2026年第二季度DRAM与NAND Flash合约价格将环比暴涨58%～75%，集微网报道称存储缺货格局将延续至2027年。

东吴证券认为，科创芯片板块在AI算力需求爆发与国产替代深化的双轮驱动下，中长期配置价值凸显。短期需关注市场轮动带来的波动，但政策支持与技术突破将持续强化其作为科技核心主线的地位。

每日经济新闻

(责任编辑：焦点)